「液態前驅物氧化物ALD技術」公開徵求技術移轉徵選廠商
一、簡介
因應半導體元件尺寸縮小與性能要求，鍍膜製的厚度均勻性與薄膜品質需求越來越高，高深寬比結構均勻鍍膜更是元件尺寸 scale-down 的關鍵。原子層沉積技術 (Atomic Layer Deposition, ALD) 係利用反應氣體與基板之間氣-固相反應，故薄膜厚度控制可以達到原子等級，且薄膜均勻性極佳；由於 ALD 技術具有低製程溫度特性，所以亦可應用於塑膠或有機材料鍍膜。
二、技術說明
本技術對應關係如下圖所示，並可分為以下幾點說明：
- ALD 反應腔體設計：腔體設計概念、基板載座設計、腔體加熱、氣體噴嘴設計、抽氣管路設計、幫浦選擇概念。
- 液態前驅物選擇與容器設計：液態前驅物為薄膜物質來源 (如氧、鋁、鎵與鋅等)，液態前驅物定義範圍：在 70 °C 以下，前驅物之蒸氣壓大於 1 Torr。前驅物容器是用以乘載前驅物並提供足夠蒸氣注入反應腔體之管路。
- ALD 氣體管路設計：前驅物蒸氣注入反應腔體之管路、進行不同前驅物切換注入之管路設計、洗滌與稀釋前驅物蒸氣之管路設計、乘載氣體流量調節設計、管路加熱設計、氣體切換管理設計。
三、技術應用範圍
- 高介電係數氧化物薄膜與絕緣材料製備。
- 塑膠與有機基板低溫度鍍膜。
- 奈米材料表面鍍膜。
四、廠商資格
- 產業類別：半導體、光電及電子相關公司。
- 應具備之專門技術：具製造發展電子電路系統之生產線或技術、人力之國內外相關廠商。
- 96 年 11 月 7 日起至 11 月 30 日止受理申請，有意願之廠商需填妥本中心「技術移轉廠商意願書」及「技術移轉廠商開發計畫書」(請至本中心網站下載)，並檢附下列文件影本，以掛號方式郵寄至本中心統一窗口，作為評選會審查資料。
- 經濟部公司執照。
- 工廠登記證及營利事業登記證。
- 經會計師認證之最近三年之損益表及資產負債表。
- 營業稅或營利事業所得稅最近一期之繳款收據聯。
- 新設立廠商得檢附書面說明，減 (免) 繳交第 3、4 項文件。
五、聯絡窗口
- 真空技術組 / 柯志忠先生 / TEL：03-5779911-585
- 企劃推廣組 / 江世元先生 / TEL：03-5779911-556、FAX：03-5798843
有關本中心技術移轉相關規定與資料請參見儀器技術移轉
