感應耦合電漿離子矽蝕刻系統開放對外技術服務
本中心近年來極力發展類 LIGA 製程技術，感應耦合電漿離子蝕刻系統的購置與 建立，可對矽進行高的深寬比結構加工，並已初步完成軟硬體功能測試。
建置在本中心之STS感應耦合電漿離子蝕刻系統，其基本規格如下：上電極線圈 為 1000 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源，下電極為 300 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源。晶片冷卻方式為背面氦氣冷卻 (backside helium cooling)。晶片固定方式為 機械式挾持式。目前已有之氣體包括有 O2、Ar、SF6、 C4F8、CF4 等。ICP 為具有高電漿密度低氣 體壓力 (high density low pressure, HDLP) 之蝕刻技術，可廣泛應用於微製造 技術的研發。
- 服務項目規格：
- 4 吋矽晶片製程、標準晶片厚度 500 µm
- 蝕刻面積 < 50%
- 蝕刻深度：不限，深寬比 10 – 30 (依線寬而定)，不接受破片，晶片背面平坦且乾淨
- 除 Si, PR, SiO2, Si3N4 等材料， 其餘材料不進製程腔體
- 選擇比
- PR (AZ 系列)：Si = 1：40 – 80
- SiO2：Si = 1：80 – 150
- 收費標準：
前 0.5 小時費用為 3500 – 7000 元，每增加 0.5 小時
費用 2500 – 5000 元 (以 0.5 小時整數倍計算)。 - 委託服務請洽本中心奈米研究室黃志誠先生 (03) 5779911 轉 605。
