脈衝雷射蒸鍍製程技術 (Pulsed Laser Deposition) 提供委製技術推廣服務
一、簡介
脈衝雷射蒸鍍製程係利用高功率脈衝雷射光束，經聚焦後導入真空腔內之靶材， 當雷射光束照射靶材表面，使得靶材表面吸收高能量，而瞬間氣化形成一團具有高動 能的電漿氣體，噴射至待鍍基板上形成薄膜。由於此為一非平衡態的生長薄膜方式， 所以基座上薄膜的成分比例幾乎與原靶材相同，特別適用於多元複合材料或摻雜材料 之鍍膜，薄膜厚度也可準確的由脈衝雷射的發數所控制。脈衝雷射蒸鍍之另一個優點 是由雷射蒸發出來的分子因吸收雷射光的能量而具有很高的動能，可加強這些分子與 周圍氣體分子之間的化學反應、降低基板的生長溫度及促進薄膜的生長，故以脈衝雷 射蒸鍍法成長之薄膜具有極佳的磊晶性質。
脈衝雷射蒸鍍製程在許多材料之磊晶薄膜、超晶格薄膜及奈米結構薄膜上等皆有 著廣泛的應用，適合薄膜成長相關研究與應用。本中心針對不同的需要及應用，配合 所使用之脈衝雷射，將整套製程技術作一推廣服務，歡迎各界洽詢。
二、應用範圍
- 磁性薄膜、鐵電薄膜、超導薄膜等多元複合材料薄膜
- 超晶格薄膜
- 奈米結構薄膜
三、相關圖示
圖一、脈衝雷射蒸鍍系統示意圖
圖二、脈衝雷射蒸鍍系統實體圖
圖三、脈衝雷射蒸鍍真空腔體設計圖
圖四、以脈衝雷射蒸鍍法成長 (Pb,La)TiO3 薄膜之 X-ray 繞射圖
圖五、以脈衝雷射蒸鍍法成長 ZnO 薄膜之 X-ray reflectivity
四、聯絡資料
聯絡單位：行政院國家科學委員會精密儀器發展中心真空技術研究室
聯絡人： 劉達人。 TEL：03-5779911 ext 106
E-mail： daren@itrc.org.tw。
