|
|
||||||||||||||||||||||||||
|
負責人：胡恆蒼先生 03-5779911分機320 代理人：殷宏林先生 03-5779911分機605 |
||||||||||||||||||||||||||
| 儀器中文名稱 光罩對準曝光系統 | ||||||||||||||||||||||||||
| 儀器英文名稱 Mask Aligner System | ||||||||||||||||||||||||||
| 儀器廠牌 Karl Suss | ||||||||||||||||||||||||||
|
儀器型號 MA6 |
||||||||||||||||||||||||||
| 採購日期 87年3月 | ||||||||||||||||||||||||||
|
儀器簡介 黃光微影為半導體製程或微機電製程中最常用的圖案轉移技術，其基本原理為利用UV光曝光的方式將光罩上的圖案轉移至晶片表面的感光層(即為光阻)上，接著使用特殊的蝕刻去除液(顯影液)將不要的地方移除，即可在晶片表面得到所需圖案的光阻結構。建置在本中心之Karl Suss MA6系統，其硬體基本規格如下
|
||||||||||||||||||||||||||
 |
||||||||||||||||||||||||||
| 中心技術能量與產出 | ||||||||||||||||||||||||||
|
1、薄膜光阻微影技術(AZ6112) |
||||||||||||||||||||||||||
|
製程應用： 定義小線寬圖案之蝕刻阻擋層 製程規格：正型光阻，厚度0.8~1.2mm，最小線寬2mm |
||||||||||||||||||||||||||
 |
||||||||||||||||||||||||||
|
服務方式：委託服務代工，委託研究計畫 |
||||||||||||||||||||||||||
| 2、厚膜光阻微影技術(AZ4620) | ||||||||||||||||||||||||||
|
製程應用：定義需深蝕刻圖案之蝕刻阻擋層 製程規格：正型光阻，厚度5~20mm，深寬比>2 |
||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||
| 服務方式：委託服務代工，委託研究計畫 | ||||||||||||||||||||||||||
| 3、厚膜負光阻微影技術(SU-8 50) | ||||||||||||||||||||||||||
|
製程應用：電鍍之模仁或結構層 製程規格：負型光阻，厚度>100mm，深寬比>10(視設計而定) |
||||||||||||||||||||||||||
 |
||||||||||||||||||||||||||
| 服務方式：委託服務代工，委託研究計畫 | ||||||||||||||||||||||||||
|
委託代工收費標準 |
||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||
