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電子束微影系統

 

負責人  殷宏林先生 03-5779911分機605

代理人  鄭紹章先生 03-5779911分機406

儀器中文名稱   電子束微影系統

儀器英文名稱    (Electron Beam Lithography System)

儀器英文簡稱    EBL

儀器廠牌     Raith

儀器型號    Raith50

採購日期    9110
儀器簡介


    電子束微影為製作次微米至奈米級尺度結構最重要的技術之一,其基本原理為利用高電壓加速之電子對特殊之阻劑(resist)進行直寫,藉由電磁線圈來控制電子行進路線,可製作出各種包含週期性及非週期性等圖案。建置在本中心之Raith50電子束微影系統,其硬體基本規格如下

電子束微影系統基本規格

 

中心技術能量與產出

1PMMA電子束微影技術

製程應用:各種奈米圖案及遮罩直寫

電子束微影技術奈米圖案

利用電子束微影技術在PMMA所製作出的各種圖案

 服務方式:委託研究計畫

2SU-8電子束微影技術

製程應用:製作奈米結構或模仁

電子束微影技術遮罩直寫

                      (a)                                                         (b)

SU-8奈米柱陣列 (a)直徑200nm,週期1000nm (b) 直徑200nm,週期750nm

 服務方式:委託研究計畫

3、奈米級金屬剝離製程技術

製程應用:奈米級金屬結構製作

奈米級金屬結構

                      (a)                                              (b)

(a)雙層倒T型結構  (b) 60nm Pt金屬線 

服務方式:委託研究計畫

4、灰階製程技術

製程應用:各種微()米光學元件製作

微奈米光學元件

                         (a)                                     (b)

利用灰階製程所製作之元件(a)Fresnel Lens (b) Hologram 

服務方式:委託研究計畫

5、奈米級蝕刻製程技術(結合ICP技術)

製程應用:

Logo文字方塊: 線寬50nm,蝕刻深度530nm
文字方塊: 線寬56nm,蝕刻深度940nm
Logo文字方塊: 奈米橋線寬400nm
 Logo

 

服務方式:委託研究計畫

委託製作收費標準與規定  目前本機台尚未開放委託製作服務