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感應耦合電漿離子蝕刻系統

 　

　

負責人：林郁欣先生 03-5779911分機324

委託服務製作請洽：黃志誠先生 035779911分機605, 404

　
儀器中文名稱 感應耦合電漿離子蝕刻系統
儀器英文名稱 Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching
儀器英文簡稱 ICP
儀器廠牌 STS
儀器型號 Multiplex ICP
採購日期 89年12月

儀器簡介

建置在本中心之STS感應耦合電漿離子蝕刻系統，其硬體基本規格如下：上電極線圈為 1000 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源，下電極為 300 W、頻率 13.56 MHz 的 RF 電源。晶片冷卻方式為背面氦氣冷卻 (backside helium cooling)。晶片固定方式為機械式挾持式。目前已有之氣體包括有 O2、Ar、SF6、 C4F8等。ICP 為具有高電漿密度低氣體壓力 (high density low pressure, HDLP) 之蝕刻技術，可廣泛應用於微製造技術的研發。

　

　

儀器主要規格

Substrate

4’silicon wafer

Mask material

Photoresist, SiO2 or Si3N4

Etch rate

~2μm/min

Selectivity P.R(AZ series):Si

>1:40~80

Selectivity SiO2(AZ series):Si

>1:100

Uniformity

±5%

 

1、標準蝕刻製程技術

製程應用：

       標準之非等向性蝕刻

製程規格：（依設計、晶片及線寬會有不同）

  1. 深寬比:>20~30

  2. 垂直度:89±1˚

  3. 側壁粗糙度：RMS>30nm

Logo文字方塊: 線寬2µm,線距2µm,蝕刻深度90µm,深寬比~45。 Logo文字方塊: 線寬2µm,線距2µm,蝕刻深度58µm,深寬比~30。

 

　

 

 

 

　

服務方式：委託製作（服務規格與費用如後）、委託研究計畫（面談）、技術移轉(面談)
　

2、懸浮蝕刻製程技術

製程應用：

製作懸浮微結構,微尖端等微結構

Logo文字方塊: 等向性蝕刻SEM圖 LogoLogo文字方塊: 懸浮SU-8繼電器元件 文字方塊: 微尖端

 

　

 

 

 

  製程規格：

服務方式：委託研究計畫
　

3、鏡面蝕刻製程技術

製程應用：

       微光學元件及Si-LIGA製程用矽模仁製作

製程規格：

       側壁粗糙度：RMS~10nm

Logo文字方塊: 凹面光柵微光學元件 Logo文字方塊: 2 x2微光開關 Logo文字方塊: 線寬10µm,蝕刻深度50µm,粗糙度~10nm

  

 

 

 

 


 服務方式：委託研究計畫、技術移轉
　

4、Dry SCREAM製程技術

製程應用：

       懸浮微結構及致動器製作

LogoLogo文字方塊: 單層微梳狀致動器 Logo文字方塊: 雙層微梳狀致動器

 

 

 

 

 

  

服務方式：委託研究計畫

　

5、奈米級蝕刻製程技術（結合電子束曝光技術）

製程應用：

Logo文字方塊: 線寬50nm,蝕刻深度530nm Logo文字方塊: 線寬56nm,蝕刻深度940nm Logo文字方塊: 奈米橋線寬400nm  

 

　

　

 

服務方式：委託研究計畫
　

委託製作收費標準與規定

服務項目規格：

  1. 4 吋矽晶片製程、標準晶片厚度 500 µm 。

  2. 蝕刻面積 < 50% 。

  3. 蝕刻深度 : 不限，深寬比 10 — 30 (依線寬而定)，不接受破片，晶片背面平坦且乾淨 。

  4. 除 Si, PR, SiO2, Si3N4 等材料，其餘材料不進製程腔體 。

 

收費標準：

單片前 0.5 小時費用為 3500 — 7000 元，每增加 0.5 小時
費用 2500 — 5000 元 (以 0.5 小時整數倍計算)。