電子束微影製程技術
Electron Beam Lithography
簡介
電子束微影為下一世代最關鍵的微影技術之一，其原理是利用電子束聚焦直寫的方式，可克服一般光學微影的繞射極限問題，在相容的阻劑上產生次微米至奈米等級的精細圖案。結合其他相關的製程技術，可開發各式奈米元件或模仁，進行前瞻性研究或性能驗證。
技術能量
Raith 50 電子束微影系統
- 正型阻劑 PMMA 電子束微影技術
- 負型阻劑 SU-8 電子束微影技術
- 雙層阻劑金屬剝離技術
- 灰階微影技術
規格
- PMMA：最小線寬 80 nm，深寬比 2：1
- SU-8：最小線寬 500 nm，深寬比 1：1
- 雙層阻劑金屬剝離技術：Pt、Au，最小線寬 100 nm
- 灰階微影技術：厚度 ≤ 2 µm，灰階度 128 階
應用領域
- 微電子：單電子電晶體、T 型閘
- 微光學：次波長光柵、繞射元件、光子晶體
- 微流體：奈米紋路
- 生物醫學：細胞生長支架、奈米孔洞
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| PMMA 微影技術 | SU-8 微影技術 | 雙層阻劑金屬剝離技術 | 灰階微影技術 |
