聚焦離子束製程技術
Focused Ion Beam Fabrication
簡介
本中心建置的聚焦離子束系統是以鎵 (Ga) 作為離子源，對基材進行特定圖案的加工，並結合場發射式電子顯微鏡進行即時觀測；除了以高能離子束進行直接蝕刻的功能外，可藉由氣體輔助蝕刻系統的幫助，提高蝕刻的選擇比與提升蝕刻速率，並可直接進行特定材料的沈積。目前已有的輔助蝕刻氣體可應用於提高聚合物、金屬與氧化物的蝕刻率，而輔助沈積氣體的種類則有鉑 (Pt) 與氧化矽 (TEOS)。
技術能量
聚焦離子束系統
- 奈米級離子束直寫技術
- 三維奈米結構氣體輔助沈積技術
規格
- 離子束直寫最小線寬：30 nm
- 鉑 (Pt) 氣體輔助沈積最小線寬：
30 nm (電子束)
110 nm (離子束)
應用領域
- 光子晶體製作
- 奈米級高深寬比探針製作
- 三維懸浮結構沈積
- TEM 試片製作
- 切剖面進行缺陷分析
- IC 電路修補
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| 光子晶體製作 | 蝕刻高深寬比探針 | 沈積高深寬比探針 |
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| 三維懸浮結構沈積 | 三維結構沈積 | TEM 試片製作 |
