感應耦合電漿離子蝕刻技術 (I)
Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etch (I)
簡介
本中心的感應耦合電漿離子蝕刻製程技術，主要是利用電漿來進行蝕刻，具有較佳的非等向性蝕刻。感應耦合電漿離子蝕刻 (ICP) 為目前矽深蝕刻最主要的技術之一，高深寬比蝕刻製程可製作矽單晶微結構，極適合應用於微慣性量測感測器及微致動器。另側壁鏡面蝕刻製程可將側壁的波紋消除，是微光機電與精密模具領域所需的關鍵技術。
技術能量
感應耦合電漿離子蝕刻系統
- 4"矽晶片蝕刻
- 高深寬比蝕刻製程
- 側壁鏡面蝕刻製程
- 矽基蝕刻加工與半導體製程相容
規格
- 高深寬比蝕刻製程技術：
垂直度 90±1°
深寬比 25–30
蝕刻深度 > 200 µm - 鏡面蝕刻製程技術：
垂直度 90±1°
側壁粗糙度 Rms ~ 10 nm
蝕刻深度 ~ 50 µm
應用領域
- 微機電、光機電、模造及封裝等
 光開關 |
 線寬 2 µm 溝槽結構 |
 線寬 30 µm 溝槽結構 |
 凹面光柵元件 |
