感應耦合電漿離子蝕刻技術 (II)
Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etch (II)
簡介
感應耦合電漿離子蝕刻系統包含非等向性蝕刻、保護製程及等向性蝕刻，Dry SCREAM 製程技術利用上述特性，只需一道黃光製程及接續的 ICP 製程即能製作出懸浮結構，相較於其他方法可大幅節省製程時程。另結合奈米級遮罩，如電子束微影技術製作奈米等級的遮罩圖案，再經 ICP 蝕刻矽晶片，可製作出奈米級高深寬比的矽結構。
技術能量
微電容感測器
雙層 Comb drive 結構
- Dry SCREAM 懸浮結構製程
- 奈米級高深寬比蝕刻製程
- 矽基蝕刻加工與半導體製程相容
規格
- Dry SCREAM 製程技術：
懸浮結構厚度 ~ 30 µm - 奈米蝕刻製程技術：
結構線寬 < 100 nm
深寬比 > 10
應用領域
- Dry SCREAM 製程技術：微致動器及懸浮結構等
- 奈米蝕刻製程技術：奈米光學及奈米生醫等
 300 nm 奈米孔洞陣列 |
 直徑 56 nm 圓柱陣列 |
 奈米級溝槽結構 |
