化學束磊晶系統
Electron-Beam Gun Evaporation Method with Ion-Assisted Deposition
簡介
本中心以超高真空系統核心技術為基礎，開發出背景壓力達 1 × 10−9 Torr，可進行 III-V 族氮化物薄膜磊晶之電漿輔助化學束磊晶系統。此系統結合 MBE 法及 MOCVD 法之優點，有助於量產製程的實現，並提供高品質的 III-V 族氮化物薄膜。
技術能量
- III-V 族氮化物磊晶片成長
- 低維度奈米光電材料製備
- in-situ 即時監控磊晶成長
規格
- 真空度： 10−5 – 10−9 Torr
- 加熱溫度： 350 – 1100 °C
- 基板尺寸： 2"
應用領域
- 高速、高功率電子元件
- 固態照明設備
- 光學式高密度資訊儲存
- 太陽能電池
氮化鎵薄膜
氮化鋁緩衝層
氮化鎵一維奈米結構
