奈米與微系統技術
二氧化矽蝕刻製程開發
二氧化矽蝕刻機 Plasmalab System100 ICP380
開發目的
以奈／微光學設計與矽基材料奈／微米結構製程技術為基礎，發展二氧化矽乾式蝕刻製程，提供國內奈／微米研究穩定製程平台，與學界合作進行前瞻研究。
規格與特徵
能製作出高光學品質的奈／微米光學元件，其蝕刻後的側壁垂直度可達 90° ± 5°，底部平整度或粗糙度可達 100 Å。
- 石英基板蝕刻
- 二氧化矽薄膜蝕刻
- 高深寬比蝕刻
應用
- 微光學元件
- 微光柵元件
- 生醫晶片
- 高功率雷射光學器件
- 奈米結構蝕刻
- 繞射光學元件
二氧化矽深蝕刻
計畫聯絡人
何鍵宏
E-mail: herch@itrc.org.tw
