微奈米元件設備與製程技術開發
脈衝雷射鍍膜系統與製程技術開發
脈衝雷射蒸鍍系統示意圖
開發目的
脈衝雷射蒸鍍製程係利用高功率脈衝雷射光束，經聚焦後入射至真空腔內的靶材上，使得靶材表面因吸收高能量而瞬間氣化，形成一團具有高動能的電漿氣體，噴射至待鍍膜的基板上，成長薄膜。基座上薄膜的成分比例幾乎與原靶材相同，特別適用於多元複合材料或摻雜材料之鍍膜，另由雷射蒸發出來的分子，具有很高的動能，可降低基板溫度及促進薄膜的生長，使其具有極佳的磊晶性質。因此，脈衝雷射蒸鍍製程在材料及薄膜成長與奈米結構的研究上，是一相當有用的工具。
規格與特徵
- Nd:YAG 脈衝雷射，雷射脈衝寬度： ~ 10 ns
- 可選擇之雷射波長： 1064 nm、532 nm、355 nm、266 nm
- 脈衝雷射最大能量： ~ 1 J/pulse
應用
- 磁性薄膜
- 鐵電薄膜
- 超導薄膜
- 半導體薄膜
脈衝雷射蒸鍍系統實體圖
計畫聯絡人
劉達人
E-mail: daren@itrc.org.tw
